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GBT 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法

发布时间:2019-05-29      点击:

  GB/T 37211.2-2018金属锗化学理会步骤 第2一面:铝、铁、铜、▲★-●△镍、◇•■★▼▼▲铅、钙、•●镁、钴、◇▲=○▼=△▲铟、锌含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

  1.4 本步骤的检测限取决于原子序数、□▼◁▼驱策能、驱策X射线的光通量、筑筑的本底积分时光以及空缺值。对恒定的筑筑参数无作梗检测限是元素原子序数的函数其蜕变突出两个数目级。反复性和检测限的相闭见附录A。

  GB/T 37049-2018电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

  1.1 本尺度规章了应用全反射X光荧光光谱定量测定硅扔光衬底皮相层的元素面密度的步骤。本尺度实用于硅单晶扔光片、○▲表延片(以下称硅片)特别实用于硅片洗涤后天然氧化层或经化学步骤滋长的氧化层中沾污元素面密度的测定测定例模为109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2。▪️•★本尺度同样实用于其他半导体资料如砷化镓、☆△◆▲■碳化硅、口▲=○▼▲●…△SOI等镜面扔光晶片皮相金属沾污的测定。★△◁◁▽▼◆●△▼●▲●◆▼

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